Ballistischer Transport in nanoskaligen Si/SiGe-Heterofeldeffektstrukturen
Im Elektronenkanal modulationsdotierter Si/SiGe-Hetero-feld-effekttransistoren werden durch Nanostrukturierung der Oberfläche ein- bzw. nulldimensionale elektronische Systeme erzeugt. Die Nanostrukturierung erfolgt entweder durch dynamisches Pflügen eines Resists mit dem Raster-kraftmikroskop oder durch Elektronenstrahllithographie und anschließendes materialselektives naß-chemisches Ätzen. Die minimalen Strukturabmessungen liegen bei etwa 15 nm. In Quantenpunktkontakten läßt sich bei T = 4.2 K die sukzessive Besetzung eindimensionaler Subbänder mit steigender Gatespannung beobachten. Unter endlicher Drainspannung führt die Auf-heizung von Elektronen zu negativ differentiellem Leitwert in der Strom-Spannungs-Kennlinie. Neben ballistischen Effekten finden sich in einigen Quantenpunktkontakten und in lithographisch erzeugten Quantenpunkten auch Einzelelektroneneffekte, die als Coulomb-Blockade-Oszillationen im Leitwert sichtbar sind.
| Autor: | Wieser, Ulrich |
|---|---|
| ISBN: | 9783934453265 |
| Auflage: | 1 |
| Sprache: | Deutsch |
| Seitenzahl: | 148 |
| Produktart: | Unbekannt |
| Herausgeber: | Kunze, Ulrich |
| Verlag: | Bochumer Universitätsverlag Westdeutscher Universitätsverlag |
| Veröffentlicht: | 01.07.2001 |
| Schlagworte: | Nanoelektronik Nanostrukturiertes Material Naturwissenschaft Physik Quantenpunkt Zeitliche Qualifier |
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