Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich
Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestätigt. Es wird ein Verstärkerkonzept erarbeitet, das maßgeschneidert für den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstärker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermöglicht.
| Autor: | Diebold, Sebastian |
|---|---|
| ISBN: | 9783731501619 |
| Sprache: | Deutsch |
| Seitenzahl: | 249 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | KIT Scientific Publishing |
| Veröffentlicht: | 12.03.2014 |
| Schlagworte: | 3-5 FET millimeterwave HEMT III-V semiconductor Leistungsverstärker MMIC Mikrostreifenleitung Millimeterwelle Terahertz Verbindungshalbleiter coplanar waveguide koplanarer Wellenleiter mHEMT microstrip transmission line millimetre-wave monolithic integrated power amplifier |
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